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Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE ，加拿大進口桌面式設備，模塊化設計，可支持ALD原子層沉積，CVD化學氣相沉積，PECVD??等離子體增強化學氣相沉積和RIE??反應離子刻蝕。

占地面積小的桌面系統(tǒng)（ 0.15 立方米 | 2.5 平方英尺） 具有超快 MFC 的高溫兼容快速脈沖 ALD 閥，用于集成惰性氣體吹掃。 4 英寸圓形卡盤可定制，適用于較小尺寸或其他形狀（11 毫米高）。 3 種有機金屬前體和 2 種（最多 3 種）反反應物。 整個加熱管線（從前體到腔室）。 高曝光（用于溝槽和多孔基板）和靜態(tài)處理模式 全鋁（半導體級）腔室 ? 范圍高達 310°C

產品特點 美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui 多容納9片8英寸基片同時沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結合前驅體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設計不僅實現(xiàn)在8英寸基體上實現(xiàn)膜厚的不均勻性

原子層沉積（Atomic layer deposition）是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

原子層沉積系統(tǒng)（ALD）是一種基于自限制表面化學反應的優(yōu)良薄膜沉積技術。通過交替通入不同前驅體氣體，在基底表面逐層形成單原子層厚度的薄膜，具有原子級精度控制和三維共形性覆蓋的特點，尤其適用于復雜結構和高深寬比器件的均勻鍍膜。